文献

J-GLOBAL ID：201602012087202505   整理番号：71A0262209

微細帯状メモリの磁気特性の改良

Improving fine striped memory magnetic properties.

著者 (6件)： OSHIMA S ,  KOBAYASHI T ,  KAMIBAYASHI T ,  OKADA A ,  KOMAZAWA Y ,  KOMURO K
資料名： IEEE Trans Magn  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 6  号： 3  ページ： 725-728  発行年： 1970年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度.高速度,低コストの微細帯状メモリを蒸着,電着,エッチングによって製作した。これは完全密閉磁束路をもつ平面膜メモリである。三つの重要な実験の結果次の結果がわかつた。電着パーマロイの磁気特性を改良するためには,300Aの厚さのパーマロイを下に蒸着することが必要である。完全密閉磁束路によって十分な出力と動作の安定性が保証される。磁束キーパーは高いSN比と低い駆動電流を保証する。なお,磁束キーパーを用いて,5000bit/cm²の高密度メモリを製作した;写図7参9

準シソーラス用語： 磁気記憶 ,  磁気記憶(微細帯状記憶) ,  電着パーマロイ ,  微細帯状記憶

タイトルに関連する用語 (2件)： 微細 ,  磁気特性