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J-GLOBAL ID：201602012095421399   整理番号：72A0041763

間接ギャップ半導体におけるバンド間オージエ再結合

Band-to-band Auger recombination in indirect gap semiconductors.

著者 (1件)： HULDT L
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 8  号： 1  ページ： 173-187  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体中の電子正孔対はAuger過程によって再結合出来る。簡単な直接バンド構造をもつ半導体に対するこの過程の理論はBeattieとLaTdsbergによって扱われた。この論文では間接ギャップの半導体においてもフォノンを含まないAuger過程が起り得ること,そしてバンド構造に依存する活性化エネルギーが非常に低く偶然的には零にもなり得ることを示した。SiおよびGeに対するデータはこれらの物質のバンド構造がしきい値の低いAuger過程に適していることを示す。摂動論を使ってSiとGeの遷移速度を計算し,結果を実験データと比較した;写図6参25

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： Auger再結合 ,  シリコン ,  間接キャップ半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： バンド ,  再結合