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J-GLOBAL ID：201602012120717001   整理番号：64A0025786

ひ紫とアンチモンをドーブしたシリコンでの重と重に縮退した状態のエネルギー

The energies of the twofold and threefold degenerate Is states in arsenic and antimonydoped silicon.

著者 (3件)： OTTENS MEIER P P ,  GILES J C ,  BICHABD J W
資料名： Can J Phys  (Canadian Journal of Physics)
巻： 42  号： 9  ページ： 1826-1829  発行年： 1964年 
JST資料番号： B0229A  ISSN： 0008-4204  CODEN： CJPHAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： カナダ (CAN) 

抄録/ポイント： y”kr-vaiiewiKで-’測定.ひ素を入れたときの24.85と26.80meV の強いピークを1s2,3→2p土の遷移に.19.8と21.8 meV の弱いピークを1 s2,3→2Poに対応づけ,2重項-8重項結合を伝導帯より30.9と82.4mevに位置づけた;参5

タイトルに関連する用語 (5件)： 紫 ,  アンチモン ,  シリコン ,  縮退 ,  エネルギー