抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ヘテロジャンクションを用いた新しい構造の注入形レーザの提案である。たとえばベースにGeを,エミッタとコレクタにそれぞれp型n型のGaAsを用いた構造のトランジスタを作って,両端PNに順方向バイヤスを与える場合のベース領域におけるキャリア濃度とバイヤス電位との関係を考察した。適当な仮定をおいて考察するとベース領域のキャリアは電子。正孔ともに縮退した状態を作り出すことができて能率の高い注入形レーザを得ることができる。無幅射再結合が問題であり,ヘテロジャンクション材料物質と関連させて検討した;図1参8
