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J-GLOBAL ID：201602012122564610   整理番号：72A0252621

SbSI-SnO²ヘテロ接合薄膜のスイッイング及びメモリー効果

Switching and memory effect in SbSI-SnO2 heter-ostructure thin film.

著者 (2件)： HAMAKAWA Y ,  YOSHIDA M
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol I  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.1)
ページ： 165-178  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700151  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnO₂-SbSI一金属ヘテロ接合薄膜において,電流の異常な飛びと記憶効果を観察した。この効果を利用して,新しい電圧制御スイチング及びメモリーデバイスを作った。この現象の機構を調べる渉こめに,一連の基礎的測定を行った。現象を説明する模型を提案し.考察した;写図7参7

シソーラス用語： スイッチ効果 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： SbSI ,  SnO₂ ,  記憶効果

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  薄膜 ,  メモリー効果