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J-GLOBAL ID：201602012127265548   整理番号：72A0036666

P⁺-N-N⁺ダイオードの寿命測定に対する空乏層容量の効果

Effect of depletion-layer capacitance on lifetime measurements of p-n-n diodes.

著者 (2件)： VENKATESWARAN K ,  ROULSTON D J
資料名： Electron Lett  (Electronics Letters)
巻： 6  号： 21  ページ： 681-683  発行年： 1970年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P〓N-Nダイオードの軽くドープした領域の少数キャリア寿命1戸測定に広く用いられている寸法は既知の順方向電流1,によりN領域に蓄秘される電荷を測定することである。この方法で測定した寿命は,空乏層容量を充電することによる誤差をもつことを記した。この電荷による誤差を除去する簡単な方法を述べた;写図2表1参2

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  ダイオード ,  空間電荷 ,  空乏層 ,  計測 ,  容量
準シソーラス用語： 測定

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイオード ,  寿命測定 ,  空乏層