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J-GLOBAL ID：201602012135289820   整理番号：70A0040210

二元ダイヤモンド類似のA²B⁴C⁵₂型半導体のエネルギーバンド構造

Energy band structure of ternary diamond-like A²B⁴ C⁵₂-type semiconductors.

著者 (4件)： GORYUNOVA N A ,  POPLAVNOI A S ,  POLYGALOV Yu I ,  CHALDYSHEV V A
資料名： Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)
巻： 39  号： 1  ページ： 9-17  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 東ドイツ (DDR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AZガCl型化合物のバンド橋造のパラメータの計算について総括し,それらを現在得られる実験データと比較した。計算によるとこれら全ての化合物で,価電子帯のトップはr,表現(軽い正孔)に対応すら,しかし△,,が小さい時この結果にあいまいさがないと考えることは出来ない.r,(重い正孔)はr,より上にあることが可能であり,多くの実験で観測されている。複雑なバンド構造および多くのパラメータにより,A2B4Cl化合物が幅広い性質を持つ新らしい半導体デバイスを作り出すのに適当な物質であると考えることが出来る;写図1表1参37

シソーラス用語： バンド構造 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ダイヤモンド型半導体 ,  ダイヤモンド型半導体(三元) ,  三元

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  類似 ,  エネルギー ,  バンド構造