文献

J-GLOBAL ID：201602012188741466   整理番号：71A0241921

Se-Ge系に親察したスイッチング現象

著者 (3件)： MATSUSHITA T ,  OKUDA M ,  YOSHIDA K
資料名： Bull Univ Osaka Prefect S  (Bulletin of University of Osaka Prefecture. Series A. Engineering and Natural Sciences)
巻： 19  号： 1  ページ： 95-108  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0007A  ISSN： 0474-7844  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5~20%のGeを含むSe-Ge系のスイッチング現象について述べる。この現象を点接触電極と平行平板電極とについて調べた。前者の場合は熱的絶縁破壊が.後者においては破壊前領域中のキャリア輸送が.それぞれ伝導状態の生起の原因となっているとした;写図10参14

準シソーラス用語： Se-Ge ,  Se-Ge系 ,  スイッチング現象 ,  スイッチング現象(Se-Ge系) ,  セレン-ゲルマニウム系 ,  セレン-ゲルマニウム系(スイッチング現象) ,  点接触電極 ,  点接触電極(Se-Ge/スイッチング現象) ,  平行平板電極 ,  平行平板電極(Se-Ge/スイッチング現象)

タイトルに関連する用語 (2件)： スイッチング ,  現象