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J-GLOBAL ID：201602012196647398   整理番号：70A0122972

スパッタ状ハフニウムと陽極HfO₂膜の作成と性質

Preparation and properties of sputtered hafnium and anodic HfO₂ films.

著者 (1件)： THOMAS M T
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 3  ページ： 396-403  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧(4kV)でえられるHf膜はバルク状のものが98%の密度,50μohm-cmの比抵抗-1580ppm/°CのTCR,-2×10^-5cm³/クーロンのHall係数を,低電圧(1,5kV)でえられるものは50%の密度,815μohm-cmの比抵抗,800ppm/°CのTCR,+12×10^-5cm³/クーロンのHall効果をもつ。なおこの種の膜はバルク状のものと同じ六方最密構造をもつ。一方酸化ハフニウムは密度7.9g/cm³,陽極定数20Å/V,誘電定数18で,単斜晶系の多結晶構造をもち,100-1mA/cm²で陽極に作用した場合には0.085μf/cm²の容量密度をもつ;写図11表1参23

シソーラス用語： ハフニウム ,  酸化ハフニウム
準シソーラス用語： HfO₂ ,  ハフニウム(膜-電気化学的性質) ,  酸化ハフニウム(陽極膜/電気化学的性質) ,  電気化学的性質 ,  膜-電気化学的性質 ,  陽極被膜 ,  陽極被膜(HfO₂) ,  陽極膜

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ ,  ハフニウム ,  陽極 ,  HfO2 ,  性質