抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
サイリスタは出力用素子として広く使用されているが,ここではその最大損失,印加最大電圧,最大破壊電圧,ドープ不純物,キャリヤ寿命と言つた物理的な面から考察解説した。シリコン素子に働く電界によって電子なだれが起る限界と素子の厚み,不純物を拡散した素子の電圧限界,PN接合部における電圧限界,ドープこう配と不純物拡散と電界の関係,逆電圧印加のサイリスタの理論モデル,素子の厚みと最大電圧の関係,印加電圧とキャリヤ寿命,素子の面積との関係を述べた;写図7参7