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J-GLOBAL ID:201602012199128677   整理番号:71A0240817

サイリスタの出力限界

Leistungsgrenzen des Siliziumthyristors.
著者 (1件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 27-30  発行年: 1971年 
JST資料番号: B0380A  ISSN: 0013-5399  CODEN: EKTRA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: ドイツ (DEU)  言語: ドイツ語 (DE)
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サイリスタは出力用素子として広く使用されているが,ここではその最大損失,印加最大電圧,最大破壊電圧,ドープ不純物,キャリヤ寿命と言つた物理的な面から考察解説した。シリコン素子に働く電界によって電子なだれが起る限界と素子の厚み,不純物を拡散した素子の電圧限界,PN接合部における電圧限界,ドープこう配と不純物拡散と電界の関係,逆電圧印加のサイリスタの理論モデル,素子の厚みと最大電圧の関係,印加電圧とキャリヤ寿命,素子の面積との関係を述べた;写図7参7
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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