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J-GLOBAL ID：201602012200682462   整理番号：71A0029492

狭いエネルギー帯の電気伝導度

Electrical conductivity in narrow energy b ands.

著者 (3件)： BARI R A ,  ADLER D ,  LANGE R V
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 8  ページ： 2898-2905  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1バンド・Hubbardハミルトニアンをもつ電子系の伝導度を△/1(△ニパンド幅.1二相関エネルギー)《1の近似で計算した。原子当り1電子の場合.Tニ0での伝導度は△/1の1次まででは消失する。非半充満帯の場合には,基底波動関数の縮退のため有限の伝導度が生ずる。LiドープNioを理論で解析し,3dS帯の寄与バンド模形の場合より小さくなることを示す;写図1参23

シソーラス用語： 電子相関
準シソーラス用語： dバンド ,  Hubbard膜型 ,  NiO ,  バンド模型 ,  狭いエネルギー帯 ,  電気伝導率

タイトルに関連する用語 (2件)： エネルギー ,  電気伝導度