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J-GLOBAL ID：201602012225564090   整理番号：71A0243043

CdS薄口の導電性に及す粒子境界および積層障害の効果

Grain boundary and stacking fault effects on CdS film conductivity.

著者 (3件)： KAZMERSKI L L ,  BERRY W B ,  ALLEN C W
資料名： Conf Rec IEEE Photovoltai  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 8th  ページ： 9-15  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上に蒸着させて1.0Ω-cm程度の抵抗率を持たせたCdS薄膜について,粒子境界が薄膜方向の導電率に及ぼす影響,および積層障害が薄膜に直角方向の導電率に及ぼす影響について実験的に検討した。粒子境界はCdS薄膜の厚さが10⁴A以上の場合には移動度により厚さがそれ以下の場合には表面散乱が支配し,位子境界の障壁電位は2.67kTであることが明らかになり,また積層障害の障壁電位は室温で0,034eVで,電子顕微鏡による測定では最大障害は30%になり,直角方向の平均抵抗率は3倍増加することがわかった;写図10参16

シソーラス用語： 光電池 ,  太陽電池
準シソーラス用語： CdS太陽電池 ,  CdS薄膜 ,  光電池(CdS薄膜) ,  障壁電位 ,  障壁電位(CdS太陽電池) ,  積層障害効果 ,  積層障害効果(CdS太陽電池) ,  太陽電池(CdS薄膜) ,  硫化カドミウム光電素子 ,  粒子境界効果 ,  粒子境界効果(CdS太陽電池)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdS ,  導電性 ,  粒子境界 ,  障害