抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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150~550°C十分長時間焼なましτた後焼入れしたHgTeの電気的性質を測定.気相-結晶の平衡を研究。ほとんどの試料はP形であった。ホール係数を4.2°K.100kGで測定。低不純物濃度の試料は300°Kのゼーベック係数,300°と77°Kでの低磁場ホール係数も測定。550°Cで焼なましした試料では.P-Nの値はHgの圧力減少とともにHg飽和の4.7×1018cm-3からTe飽和の9×1018cm-3へ単に調増加した。点欠陥はHg空格子点あるいはTeの侵入型アクセプタである。P-Nの値を融点まで外そうした値は1.5×1019cm-3である;写図8表1参17