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J-GLOBAL ID：201602012246480570   整理番号：65A0024902

InAsダイオードのエレクトロルミネセンスの磁気的性質

Magnetic properties of InAs diode electroluminescence
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著者 (4件)：
GALEENER F L

GALEENER F L について

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MELNGAILIS I

MELNGAILIS I について

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WRIGHT G B

WRIGHT G B について

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REDIKER R H

REDIKER R H について


資料名：
J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)

J Appl Phys について


巻： 36  号： 5  ページ： 1574-1579  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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InAsダイオードの接合部からのエレクトロルミネセンス(自然放出およびレーザー放出)に対する磁場の効果をしらべた.発光ピークのエネルギーは磁場と1次の関係でシフトし,その傾きはN形の部分のキャリアー濃度に依存する.シフトの大きさから求めたキャリアーの有効質量はN形材料について磁気光学効果より求めた値と一致した;図8表1参25
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InAs

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ダイオード

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エレクトロルミネセンス

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磁気的性質

磁気的性質 について


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