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J-GLOBAL ID：201602012301250121   整理番号：71A0040244

PbTeとSnTeにおいて表面電場により誘導されたラマン散乱

Surface electric-field-induced Raman scattering in PbTe and SnTe.

著者 (2件)： BRILLSON L ,  BURSTEIN E
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 27  号： 12  ページ： 808-811  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーバンドの曲がりをもたらすためにp型サンプル上にPb膜をつけたW-M化合物(NaC1型)半導体において,ラマン不活性LOフォノンによる電場誘導散乱を観測した。観測したラマンピークは非しゃへいq=OLOフォノンに対応している。これらの半導体中の表面電場誘導Raman散乱に寄与する機構の議論をする;写図1参12

シソーラス用語： 半導体 ,  誘導Raman散乱
準シソーラス用語： PbTe ,  SnTe

タイトルに関連する用語 (5件)： PbTe ,  SnTe ,  電場 ,  誘導 ,  ラマン散乱