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J-GLOBAL ID：201602012309666513   整理番号：65A0241355

半導体検出器における一定でないキャリア移動度の電荷輸送時間に対する影響

Influence of nonconstant carrier mobility on the charge transport time in semiconductor detectors.

著者 (3件)： FALK K ,  TOVE P A ,  MADAKBAS M
資料名： Nucl Instrum Methods  (Nuclear Instruments & Methods)
巻： 21  号： 1  ページ： 157-159  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0208A  ISSN： 0029-554X  CODEN： NUIMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD) 

抄録/ポイント： 電界強度Fが大きい場合の移動度μはμ=μ0(Fc/F)1/2で近似されFcは一定移動度の限界電界強度で正孔に対して〓7.5×10⁵V/m,電子に対して2.5×10⁵V/mである.一定移動度を仮定した電荷輸送時間は供給電圧に依存せず,半導体の比抵抗のみで決る.それに対する移動度が一定でない場合の輸送時間をN形検出器で比抵抗100,200,460,1000,2200,4600Ω-cm,のものに対し,バイアス電圧25~2500Vについて全空乏化の場合と一部空乏化の場合に対して計算した.低抵抗で高電圧の場合は特に移動度変化の効果が著しく現れる;図2表3参10

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体検出器 ,  キャリア移動度 ,  電荷輸送