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J-GLOBAL ID：201602012320297058   整理番号：71A0045743

P形Siを不活性気体イオン線照射し焼なました時の逆転層形成におけるNの役割

Роль азота в формировании инверсных слоев при облучении р-кремния ионами инертных газов с последующим отжигом.

著者 (4件)： ЗОРИН Е И ,  ПАВЛОВ П В ,  ТЕТЕЛЬБАУМД П ,  ХОХЛОВ А Ф
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 12  ページ： 2358-2362  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： P形Siに不活性気体イオン線を照射した600°C以上の温度で焼なましすると,Nイオン線を照射後焼なましした場合と全く同様な表面逆転層が形成されることを示した。これは最初Si中にN,またはSi,N,の形で含まれていたN原子がイオン線によって解離し焼なましによって格子点に入りドナーとなるためである;写図3表1参13

シソーラス用語： イオン照射 ,  焼なまし
準シソーラス用語： シリコン ,  反転層

タイトルに関連する用語 (7件)： P形Si ,  不活性気体 ,  イオン線 ,  焼なまし ,  逆転 ,  層形成 ,  役割