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J-GLOBAL ID:201602012373151373   整理番号:70A0277167

W-Ti-Si系状態図

Диаграмма состояния системы W-Ti-Si.
著者 (2件):
資料名:
号:ページ: 197-201  発行年: 1970年 
JST資料番号: R0172A  ISSN: 0568-5303  CODEN: IZNMA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語: ロシア語 (RU)
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熱,ミクロ組織,X線および相分析とかたさと微少かたさの変化によって,W-Ti-Si系の研究をおこなった。研究はTi-Si系,W-Si系,W-Si系およびW-Ti-Si系に分けておこなった。Ti-Si系では包晶反応によって1100°CでTi3Si化合物を作る。W-Si系ではおよそ2300°Cで激解するW5Si3化合物が存在することがわかった。さらに,800,1000,1200°CでのW-Ti-Si系の等温切断図を得た;写図5参11
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