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J-GLOBAL ID：201602012403261845   整理番号：72A0045083

GaNのエレクトロルミネセンス

Electroluminescence in GaN.

著者 (4件)： PANKOVE J I ,  MILLER E A ,  RICHMAN D ,  BERKEVHEISER J E
資料名： J Lumin  (Journal of Luminescence)
巻： 4  号： 1  ページ： 63-66  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNのエレクトロルミネセンスについて報告する。GaN試料はサファイヤ基板上に気相成長法で作った。ドーパントはZnである。エレクトロルミネセンスは2つの点接触間に直流を通して室温で観測された。発光のピークは2.6eVで幅は260meVである。発光の機構を説明するためのモデルとして。Znが粒界に析出し多数のn÷n接合の存在を想定し,そこで発生した正孔がアクセプタと再結合して発光すると考える;写図2参7

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  結晶粒界
準シソーラス用語： GaN ,  粒界

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  エレクトロルミネセンス