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J-GLOBAL ID：201602012434399489   整理番号：70A0031535

高純度エピタキシャルGaAs中の残留不純物

Residual impurities in high-purity epitaxial GaAs.

著者 (3件)： WOLFE C M ,  STILLMAN G E ,  OWENS E B
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 1  ページ： 129-130  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相成長法による解析では,6.9×10¹³cm^-3(μ77K)=210000cm²V-sec)以下の値を得たが,残留不純物は同定し得なかったが・本報では不純物濃度1×10¹⁵cm^-3以下の測定限界を持つ質量分析法によって分析。その結果,全イオン化不純物濃度7.6×10¹³cm^-3(μ77K=200000cm²/V-sec)以下の値を得た。種々の試料について調べた結果エピタキシャル結晶は融液成長結晶よりかなり小さい電気的活性不純物濃度を持つことがわかった;表2参9

シソーラス用語： エピタクシー ,  ひ化ガリウム ,  不純物 ,  不純物分布
準シソーラス用語： GaAs ,  エピタキシャル ,  エピタキシャルGaAs ,  エピタクシー(GaAs/不純物濃度) ,  ひ化ガリウム(エピタキシャル/不純物濃度) ,  不純物(エピタキシャルGaAs) ,  不純物濃度

タイトルに関連する用語 (5件)： 高純度 ,  エピタキシャル ,  GaAs ,  残留 ,  不純物