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J-GLOBAL ID：201602012435476509   整理番号：69A0114329

無定形けい素の調製と特性

The preparation and properties of amorphous silicon.

著者 (3件)： CHITTICK R C ,  ALEXANDER J H ,  STERLING H F
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 116  号： 1  ページ： 77-81  発行年： 1969年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20~650°C,基盤上へ,シランガスよ,),無定形けい素の薄膜を高周波グロー放電によって析出させた。形成した薄膜は,21°Cで~10¹⁴ ohm-cmの抵抗率をもち,高い抵抗率の温度係数を示した。光導電効果も観測され.300°Cで析出した薄膜において最大値を示した。さらに熱処理,時効およびドーピングの無定形けい素の特性に与える効果についても報告。特性の析出温度による変化は,温度による構造変化に関連;写図9参5

シソーラス用語： グロー放電 ,  けい素 ,  電気伝導 ,  薄膜
準シソーラス用語： グロー放電(シランガス/無定形けい素薄膜形成) ,  けい素(無定形薄膜/導電性) ,  シランガス ,  導電性 ,  導電性(無定形けい素薄膜) ,  薄膜(無定形けい素) ,  無定形けい素 ,  無定形けい素薄膜 ,  無定形けい素薄膜形成 ,  無定形薄膜

タイトルに関連する用語 (2件)： 無定形けい素 ,  調製