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J-GLOBAL ID：201602012449068314   整理番号：71A0036193

HgSeのバンド構造:有効質量データからのバンドバラメーターの決定とShubnikov-de Haas振動におけるBeating効果の濃度依存性と異方性

Band structure of HgSe:B and parameter determinations from effective-mass data,and concentration dependence and anisotropy of beating effects in the Shubnikov-de Haas oscillations.

著者 (3件)： SEILER D G ,  G ALAZKA R R ,  BECKER W
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 3  号： 12  ページ： 4274-4285  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HgSeのr,伝導バンドにおける電子の有効質量の濃度依存性を計算するためにKaneによって導出されたE-k関係を使う。この結果はWhitsettによってShubnikov-deHaasの結果から得られたそれと良い一致をみる。beatingパターンの電子濃度,磁気方向依存性を詳細に調べる実験を行なう。さらにこれらの結果の考察および他の物質との比較検討を行なう;写図10表2参21

シソーラス用語： バンド構造 ,  有効質量
準シソーラス用語： HgSe ,  Shubnikov-deHaas効果

タイトルに関連する用語 (4件)： バンド構造 ,  有効質量 ,  濃度依存性 ,  異方性