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J-GLOBAL ID：201602012452875131   整理番号：71A0250999

ラテラルトランジスタのスイッチング現象

A swtiching lateral transistor.

著者 (2件)： LAST J D ,  LUCAS D W
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 18  号： 8  ページ： 563-570  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiICの中のラテラル構造のトランジスタで.V_CEの臨界値を境にしてスイッチング現象がみられる。このスイッチングに対する等価回路を導き,これを用いてトランジスタの特性を説明し.現象の機構を検討した。デバイスのスイッチング電圧に対する製造の許容値の効果を求め.保護制御の技術を示した。このデバイスを用いて回路のスイッチング電圧が広範囲にかわる回路を検討し,過電圧保護回路,ち緩発振器,負性動抵抗を用いた回路としての応用をのべた。スイッチング速度はコレクタ容量とチャネル抵抗に依存する。200nS程度であるが,1~2けたの改善は可能である;写図20参11

シソーラス用語： スイッチ回路 ,  トランジスタ ,  集積回路

タイトルに関連する用語 (2件)： スイッチング ,  現象