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J-GLOBAL ID：201602012452991379   整理番号：71A0034278

イオンインプランテーションの研究におけるマイクロプローブ法の応用

Sur l’emploi de la microsonde electronique pour l’etude de l’implantation des ions.

著者 (4件)： LEGRAND C ,  BAHEZRE C ,  Le DUIGOU J ,  TRILLAT J-J
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie A. Sciences Mathematiques, Serie B. Sciences Physiques)
巻： 271  号： 2  ページ： B88-B92  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0303B  CODEN： CHDAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 20keVに加速したアルゴンイオンを鏡面にみがいたAl,Ni,Auの試片に衝繋させ,インプランテーション・イオン数をマイクロプロープ法で測定した。衝撃時間とともにイオン数は比例して増すが,結晶の微細化のためにゃがて飽和に近づく。試片を各温度で焼なまし,イオンの脱出する状況をも測定した。また,Al蒸着薄膜を試料とするスパッタの案験を行なった;写図4参5

シソーラス用語： アルゴン ,  アルミニウム ,  イオン ,  ニッケル ,  金 ,  電子照射
準シソーラス用語： アルゴン(イオン) ,  インプランテーション ,  マイクロプロープ法

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンインプランテーション ,  研究 ,  マイクロプローブ ,  応用