抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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低濃度(10,2-10口cm3)N晋多Geの低温における絶縁破壊の諸特性をしらべた。破壊電場には異方性があり,<111>方向の方がく100>方向よりも大きい。〈111>方向には再結合型のN字型特性が現われるが.〈10(1)〉方向にはない。光照射,温度上昇,一軸性圧縮の効果をしらべた;写図7表1参17