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J-GLOBAL ID：201602012469841559   整理番号：71A0034221

Ge/GeO₂系の荷電交換

Charge exchange in the germanium/germanium oxide system.

著者 (2件)： PAGNIA H ,  WAIDELICH W
資料名： Z Angew Phys  (Zeitschrift fuer Angewandte Physik)
巻： 30  号： 2/3  ページ： 150-154  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0428A  ISSN： 0044-2283  CODEN： ZAPHA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面光伝導度のスペクトル分布の構造はGeのバンド間遷移に関係し,半導体から酸化層へ3’-5.5eVの光子で励起された内部電子放出模型と一致する。熱回復測定からガウス分布を仮定した表面準位の占有数依存的分布が明らかにされた;写図7参12

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  表面状態
準シソーラス用語： GeO₂ ,  光伝導度 ,  電荷交換 ,  熱回復 ,  表面光伝導度

タイトルに関連する用語 (2件)： Ge ,  荷電交換