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J-GLOBAL ID：201602012493620415   整理番号：72A0362517

イオン打込みによる格子損傷の新らしい表示-ディンプリング

Dimpling-A new manifestation of ion-produced lattice damage.

著者 (3件)： MEEK R L ,  GIBSON W M ,  SELLSCHOP J P F
資料名： Radiat Eff  (Radiation Effects)
巻： 11  号： 3  ページ： 139-147  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0224A  ISSN： 0033-7579  CODEN： RAEFBL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビームを1~10μ程度の薄い単結晶ターゲットに打込んだとき,打込まれた領域に薄いフィルムのような顕微鏡的なひずみが起きることを見出した。約3μ厚さのSiを1.8MeV,Heイオンで照射したとき,その拡大はより低い照射イオン流(約10¹⁵~10¹⁶cm^-2似下)において,イオン流に対して本質的に直線的に増加した。この領域では入射イオン当り約0.001原子体積が加えられた。イオン流の増加にしたがって,直線的よりもより急速に増大し,約10¹⁸cm^-2の最高イオン流で飽和値に近づいていった。イオン流,入射エネルギ,照射温度の各効果からCイオンによるSiのディンプル(くぼみ)やGeの振舞への影響をも調べた。また200~300°C.600~700°Cでの焼なましによるディンプルへの効果についても述べている

シソーラス用語： イオンビーム ,  けい素 ,  ヘリウム ,  放射線効果
準シソーラス用語： 結晶欠陥

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン打込み ,  格子 ,  損傷