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J-GLOBAL ID：201602012505440370   整理番号：71A0036497

GaAs_I-xP_xダイオードでポンプしたYAG:Ndレーザ

GaAs_I-xP_I-x diode pumped YAG : Nd lasers.

著者 (1件)： OSTERMAYER F W Jr
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 18  号： 3  ページ： 93-96  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4%効率ダイオード列に室温で7,6W電気入力を行いCWポンプを行うと.高反射鏡をもち3,5°Cに冷却したレーザ棒はしきい値に達する。0,4%出力鏡をもつレーザ棒では,-2.5°Cでしきい値が実現する。後者の場合,しきい値温度依存性デ山タを高温側に外そうすると,ダイオード数を3”v4倍増加することにより20°Cではしきい値を2-3倍上まわることが推定される;写図3参8

準シソーラス用語： GaAsダイオード ,  Nd ,  Nd:YAGレーザ ,  YAGレーザ ,  レーザしきい値

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイオード ,  YAG ,  Nd ,  レーザ