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J-GLOBAL ID：201602012527271334   整理番号：72A0253843

Ta薄膜集積回路の導体薄膜のメタライゼーション

Conductor film metallizations for use in tantalum film integrated circuits.

著者 (3件)： SPEIGHT J D ,  GERSTENBERG D ,  BASSECHES H
資料名： Annu Proc Int Reliab Phys  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 9  ページ： 195-203  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TaN薄膜抵抗素子やTa-Ta₂O₅コンデンサ素子の上につける金属導体薄膜には,Ti-Pd-Auの重ねあわせメタライゼーション薄膜が良い接着特性をもつ。このほかに,Ti-Pt-Au,NiCr-Au,Cr-Auなど各種の重ねあわせ導体薄膜を試作して,150°Cと250°Cの高温空気中および10ppmのHCl,SO₂,NO₂を含む150°Cの空気中に置き,接着特性の劣化を試験した。Ti-Au系にPdまたはPtの中間層をはさむと,電池作用による劣化を防げる。劣化は薄膜の周辺部とピンホールから進行する;写図7表3参10

シソーラス用語： 薄膜集積回路 ,  薄膜抵抗
準シソーラス用語： メタライゼーション

タイトルに関連する用語 (5件)： Ta ,  薄膜集積回路 ,  導体 ,  薄膜 ,  メタライゼーション