文献

J-GLOBAL ID：201602012527534521   整理番号：70A0249911

新段階を迎えたMOSデバイス MOSデバイスの特性向上

著者 (2件)： 菅野卓雄 ,  ほうこう一郎
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 9  号： 5  ページ： 28-32  発行年： 1970年 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

準シソーラス用語： MOS ,  MOSデバイス ,  表面量子効果 ,  表面量子効果(MOS)

タイトルに関連する用語 (2件)： 段階 ,  MOSデバイス