文献
J-GLOBAL ID：201602012595930370 整理番号：66A0111415
Siの低温エタタクシー成長(近接距離法に,論ける逆輸)
Low-temperature epitaxial growth of Si inverted transport in close-spaced technique.
出版者サイト
複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (2件)：
BLOEM J
BLOEM J について
「BLOEM J」ですべてを検索
,
SCHOLTE J W A
SCHOLTE J W A について
「SCHOLTE J W A」ですべてを検索
資料名：
J Electrochem Soc (Journal of the Electrochemical Society)
J Electrochem Soc について
JST資料番号 C0285A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻：
112
号：
12
ページ：
1211-1215
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0285A
ISSN：
0013-4651
CODEN：
JESOAN
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SiCl4-SiCl2-HCl-H2系で,温度こう配により,近接した二つのSi板間にSiを輪送させた。通常Si輸送は低温側へ進む。低温でSiCl4分圧を大にすると逆方向へのSi輸送を行い得る。上記方法1000°で良質の漁ピタクシー層を得た。特に低抵抗下地上に高抵抗層析出を得るのに適する
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
Si
Si について
「Si」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
低温
低温 について
「低温」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
成長
成長 について
「成長」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
