文献

J-GLOBAL ID：201602012601485627   整理番号：72A0038615

0.6~1.3eV領域でのn型GaAsの光学吸収

Absorption optique de l’arseniure de gallium de type n entre 0.6 et 1,3 eV.

著者 (2件)： BOIS D ,  PINARD P
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 7  号： 1  ページ： 85-90  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： n型GaAsの光学吸収に対する自由キャリアの寄与を0。6~1.3eVのエネルギー範囲で296.Kと4.Kで測定。この吸収は禁制バンド中の深い準位によることを指摘。49Kの純粋な試料の測定結果から,0.66.0.78,L20および1.3~1.4eVの4個のバンドを確認;写図4参17

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  光吸収
準シソーラス用語： GaAs

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  光学