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J-GLOBAL ID：201602012643535420 整理番号：58A0059819
半導体装置への短時間の中性子照射の効果
The Effects of Short Duration Neutron Radiation on Semiconductor Devices.
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著者 (1件)：
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資料名：
Proc IRE (Proceedings of the IRE)
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巻：
46
号：
3
ページ：
601
発行年：
1958年
JST資料番号：
D0378A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
分類 (3件)：
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