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J-GLOBAL ID：201602012671595519   整理番号：70A0036208

半導体合金(GaP)_0.95(ZnS)_0.05の重気伝導特性

Electronic transport properties in the semiconductor alloy(GaP)_0.95(ZnSe)_0.05

著者 (3件)： GLICKSMAN M ,  GUTMAN D ,  YIM W M
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 16  号： 9  ページ： 366-368  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N形合金の移動度の温度依存性は,室温で強いイオン化不純物散乱の存在を示す。しかしての散乱はZn,Seのうち10%ほど荷電中心になっていれば十分でありZIIISeの大部分は散乱に寄与しない。ホール移動度は,77Kで0.23ご/Vs,300Kで6.2ごVsである;写図2参15

シソーラス用語： 移動度 ,  電気伝導
準シソーラス用語： GaP-ZnS合金 ,  イオン化不純物散乱

タイトルに関連する用語 (5件)： 合金 ,  GAP ,  ZnS ,  気 ,  伝導