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J-GLOBAL ID：201602012704008940   整理番号：72A0044926

MOSダイオードの蒸着へのCO₂レーザの活用

The use of a carbon-dioxide laser for the deposition of MOS diodes.

著者 (1件)： MADANI N
資料名： Isr J Technol  (Israel Journal of Technology)
巻： 9  号： 3  ページ： 245-248  発行年： 1971年 
JST資料番号： B0143B  ISSN： 0021-2202  CODEN： ISJTAC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イスラエル (ISR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上にAl,O,およびSio,薄膜を蒸着するために,連続動作で100Wの出力が得られるCO,レーザを開発した。レーザ光は蒸着装置内でシリカまたはアルミナ標的上に集光され,直径300μmの領域を蒸発させる。蒸発源が点と見なせるのでマスクを被蒸着面に接触させないでもエッジがはっきりしている。MOSダイオードの容量・電圧特性にはヒステリシスが見られた;写図5参1

シソーラス用語： レーザ加工 ,  蒸着 ,  薄膜
準シソーラス用語： CO₂レーザ ,  MOSダイオード ,  SiO₂

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSダイオード ,  蒸着 ,  CO2レーザ ,  活用