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J-GLOBAL ID：201602012705728203   整理番号：71A0242535

SbSI-SnO₂異種構造薄膜における電流しゃ断と記憶作用

著者 (2件)： HAMAKAWA Y ,  YOSHIDA M
資料名： Proc Conf Solid State Dev  (Proceedings of the Conference on Solid State Devices)
巻： 1970  ページ： 80-85  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0652A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい型の可逆的記憶作用がSbS1-SnO₂薄膜接合で見つかった。順方向電流は接合に加わるしきい電圧をこえると突然減少し,高抵抗状態にロックされる。 この記憶状態は逆方向に小さいバイアス電圧を加えると容易に消える。スイッチのオンオフ時間は室温で5μS以下である。接合の界面準位を介して電子がトンネルして電流が流れているとしてモデルを提出した;写図11参11

シソーラス用語： ヘテロ接合
準シソーラス用語： SbSI-SnO₂ ,  SbSI-SnO₂(薄膜接合) ,  記憶効果 ,  薄膜接合

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  電流しゃ断