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J-GLOBAL ID：201602012706215544   整理番号：72A0039788

補償した半導体におけるGunn効果

Эффект Ганна в компенсированных полупроводниках.
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著者 (2件)：
КАЗАРИНОВ Р ф

КАЗАРИНОВ Р ф について

, 
СУРИС Р А

СУРИС Р А について


資料名：
Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)

Fiz Tverd Tela について


巻： 13  号： 9  ページ： 2664-2674  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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電子捕獲が深い準位をもつ不純物で主として起る,補償した半導体におけるGunn効果を理論的に研究した。分域壁の電荷は不純物の電荷移動によって決まるが,その速度は担体流速度より小さい。分域をもつ試料のインピーダンスは一連の狭い共鳴をもつ;写図2参5
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Gunn効果

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半導体

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Gunn効果

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