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J-GLOBAL ID：201602012714429960 整理番号：64A0182928
Bi-SbのP-N接合からの100μの誘導放出
Stimulated emission of U radiation from BiSb pn junctions.
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著者 (1件)：
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資料名：
Proc IEEE (Proceedings of the IRE)
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巻：
52
号：
6
ページ：
725-726
発行年：
1964年
JST資料番号：
D0378A
ISSN：
0018-9219
CODEN：
IEEPAD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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準ミリ波領域での発振器としてはサイクロトロンメーザ,ガスメーザ,二つのレーザのビートなど数種のものが提案されている。本文ではBi-SbのP-n接合を用いた注入レーザで100μの放射を得ることを提案した。まずBi,Sbのバンド構造を考えエネルギーギャップ,有効質量,誘電率,緩和時間などを考慮して,10°Kおよび30°Kでのレーザ発振が可能であり,発振波長は約10
3
Gの磁場によって10%程度同調できるとの見通しを得た;参15
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