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J-GLOBAL ID：201602012731272757   整理番号：64A0016902

高ドープしたP形ゲルマニウムの電流磁気効果

Galvanomagnetic effects in heavily doped ptype germanium.

著者 (1件)： SADASIV G
資料名： Phys Rev Part A  (Physical Review. Part A)
巻： 133  号： 4A  ページ： 41207-41213  発行年： 1964年 
JST資料番号： D0323A  CODEN： PRVAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 高ドープしたP形ゲルマニウムのホール効果と磁気抵抗を77,20.4,4.2,1.4°Kで。30kGまでの磁場で測定し,ゲルマニウムの非摂動価電子帯内のキャリアに適用した輸送理論と比較した。試料は10^1〓から10^1〓cm^-3の間のガリウム不純物を含んでいる。77°Kのデータはよく合うが,極低温ではくいちがう。磁気抵抗は異常で横成分は磁場の1次に比例し,縦成分も観測された;図12 表2 参20

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  ゲルマニウム ,  電流磁気効果