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J-GLOBAL ID：201602012758018666   整理番号：71A0248591

一次元GaAsレーザアレイの試作

Experiment al fabrication of one-dimensional GaAs laser arrays.

著者 (1件)： MARINACE J C
資料名： IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)
巻： 15  号： 4  ページ： 258-264  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EuOのような磁気フィルムに熱記録を行なうには高効率,長寿命の多数のレーザが必要である。そのために,GaAsレーザアレイ試作の詳細を記す。プリッヂマン法によるn形GaAsインゴットをスライスし.主面(110)にAl₂O₃を蒸着後,0.1mm間隔で幅0.05mmの平行スロットをエッチングにより作肌Zn拡散時のマスクとする。拡散によりPN接合ができたら電着法によリオーム性接触を作る。レーザを77°KでCWさせるためにレーザ棒をCuのブロック上に取付けする。特に注意を払ったインゴットを用いれば特性の一様なアレイが得られる;写図6参15

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,  磁気光学メモリ ,  集積回路 ,  半導体レーザ

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  レーザアレイ ,  試作