文献

J-GLOBAL ID：201602012778068864   整理番号：71A0243085

集積回路用の新しい多層配線法

Etude de nouveaux procedes d’interconnexions multicouches pour circuits integres.

著者 (2件)： CROSET M ,  NOUAILLES N
資料名： Rev Tech Thomson CSF  (Revue Technique Thomson-CSF)
巻： 2  号： 3  ページ： 497-511  発行年： 1970年 
JST資料番号： A0413B  ISSN： 0035-4279  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 電極に使用する金属を酸化して絶縁体とし.さらに金属をつけて多層配線をする。 Al-Al₂O₃-Al方式では陽極酸化により.Al₂O₃膜を形成する。Al-Ta₂O₅-AlおよびAl-ZrO₂-Alの方式では蒸着したTaまたはZrを熱酸化し絶縁膜を作る。 熱酸化によるものは良質の誘電体を簡単に得ることができる;写図8表3参8

シソーラス用語： 集積回路
準シソーラス用語： 集積回路(多層配線法) ,  多層配線法 ,  多層配線法(集積回路)

タイトルに関連する用語 (2件)： 集積回路 ,  多層配線