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J-GLOBAL ID：201602012797731710   整理番号：71A0032034

半導体における不純物吸収線および振動数に及ぼす有限の結晶の大きさの効果に関する理論

Theory of the effect of finite crystal size on the frequencies and intensities of impurity absorption lines in semiconductors.

著者 (1件)： BENDOW B
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 3  号： 6  ページ： 1999-2003  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体結晶の大きさがバルク不純物-電子ボーア半径a₀のオーダーまで低下する際に不純物吸収端が突然に高エネルギー側にシフトすること.一方吸収強度は突然に減少することが実験的に示された。誘電率が大きい程.遷移挙動が起こるディメンジョンがより大きくなる。単純かつ有限な種々な幾何学的中心に埋もれている浅い不純響想化されたモデルに対する種々な計算結果を示した;写図4

シソーラス用語： 半導体
準シソーラス用語： 吸収強度 ,  不純物吸収端

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  吸収線 ,  振動数 ,  結晶 ,  大きさ ,  理論