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J-GLOBAL ID：201602012801633590   整理番号：65A0164422

中空電子ビームによるプラズマの密度

Plasma densities due to hollow electron beams.

著者 (1件)： HARTNAGEL H L
資料名： Proc Inst Electr Eng  (Proceedings of the Institution of Electrical Engineers)
巻： 112  号： 5  ページ： 1015-1017  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0380C  ISSN： 0020-3270  CODEN： PIEEAH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： マイクロ波真空管などに用いられる電子ビームのドリフト領域において,電子ビームと残留ガス間の衝突によりイオンが生ずる。このイオンは,このイオンの密度と熱イオン速度を決める電子空間電荷のポテンシャル井戸にトラップされる。円筒状電子ビームの10^-6~10^-4torrの圧力でのイオン密度を計算し,次に陽極電圧350Vで動作する中空電子ビーム用電子銃を製作し,陽極にピンホールコレクタを取付け,このコレクターを移動させてドリフト領域を変化出来るようにし,この電子銃で半径方向の遅速電子の電流密度を測定し,プラズマ密度に関するデータを得た。これは理論計算の傾向と一致した;図3参1

タイトルに関連する用語 (4件)： 中空 ,  電子ビーム ,  プラズマ ,  密度