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J-GLOBAL ID：201602012811825099   整理番号：71A0261064

電荷転送方式電子回路技術-タンデム・マトリクスによる半導体メモリのアドレス選択

Charge-transfer electronics tandem matrix semiconductor memory selection.

著者 (1件)： WAABEN S
資料名： Dig Tech Pap IEEE Int Sol  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 14  ページ： 84-85  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷転送ダイオード回路を半導体メモりのアドレス選択への応用について述べた。回復時間の遅い通常の拡散型PNダイオードと回復時間のきわめて速いショットキーダイオードを組合せ,前者に貯えられた小数キャリヤをアドレス線を通じて転送する。このとき非選択線は後者のダイオードを順方向パでアスして電荷を逃す。通常のタンテム・マトリクス方式によってゲート素子の節減をはかっている;写図5表1参3

シソーラス用語： 記憶素子 ,  半導体メモリ
準シソーラス用語： アドレス選択

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷転送 ,  電子回路 ,  タンデム ,  マトリクス ,  半導体メモリ ,  アドレス