抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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低温での電子照射による点欠陥の生成と消滅に際してのInSbの熱伝導度の変化を測定した。熱抵抗と格子のひずみの関係はGaAsと同じ理論では説明できない。不純物の電子波動関数に,対する,ひずみの大きな影響に基く,フォノンの散乱機構を考えて,理論的な説明を試みた。その他Ga As・と比較する実験がいくつか行なわれた;図6参81