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J-GLOBAL ID:201602012831862888   整理番号:64A0020793

低温で電子照射をした場合の熱伝導度の変化

Change in thermal conductivity upon lowtemperature electron irradiation InSb.
著者 (1件):
資料名:
巻: 135  号: 6A  ページ: 41750-41757  発行年: 1964年 
JST資料番号: D0323A  CODEN: PRVAA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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低温での電子照射による点欠陥の生成と消滅に際してのInSbの熱伝導度の変化を測定した。熱抵抗と格子のひずみの関係はGaAsと同じ理論では説明できない。不純物の電子波動関数に,対する,ひずみの大きな影響に基く,フォノンの散乱機構を考えて,理論的な説明を試みた。その他Ga As・と比較する実験がいくつか行なわれた;図6参81
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