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J-GLOBAL ID：201602012842355368 整理番号：64A0179012
半導体に赴ける荷電粒子の慣性
Charge carrier inertia in semiconductors.
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資料名：
Proc IEEE (Proceedings of the IRE)
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巻：
52
号：
6
ページ：
667-685
発行年：
1964年
JST資料番号：
D0378A
ISSN：
0018-9219
CODEN：
IEEPAD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体における伝導過程は観測周波数が運動量をランダムにする緩和時間の逆数に近ずいてくると荷電粒子の慣性による効果を示してくる。この効果はゲルマニウムやシリコンの誘電率や伝導度に影響を与える。本文は等価回路によりこの慣性効果を論じ温度依存庄を考察した。高精度のブリッジを用いて24Gcにかいてp形ゲルマニウムおよびh形シリコンの伝導度の測定を行ない理論と比較した。慣性の効果は7°Kのp形ゲルマニウムで最大であ伝伝導度は直流値の半分となった;図9参20
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