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J-GLOBAL ID：201602012850998537   整理番号：71A0044570

間接電場吸収における励起子

Excitons in indirect electroabsorption.

著者 (3件)： LAO B Y ,  DOW J D ,  WEINSTEIN F C
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 26  号： 9  ページ： 499-501  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 励起子効果を,Geの基礎光学吸収端での間接微分電場吸収係数の計算中に含めた。この理論は実験と良く一致する。これは,電場吸収データへの定量的な合致を得るための最初に成功した試みである。理論的な合致は296.KでGeの間接バンドギャップに対して0.6701eVの値を与えた;写図1参15

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  励起子
準シソーラス用語： 電場吸収スペクトル

タイトルに関連する用語 (3件)： 間接 ,  電場 ,  励起子