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J-GLOBAL ID:201602012852156762   整理番号:65A0169598

原子炉放射線照射に対する薄膜トライオードの高安定性

Higi stability of thinfilm triodes to nuclearreactor radiation
著者 (4件):
資料名:
巻: 4512  号:ページ: 42-45  発行年: 1965年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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薄膜能動素子および受動素子は,原子炉放射線照射に対して,半導体単結晶を用いた素子に比して2~3桁,安定であることがわかった.特に,絶縁膜上にゲート電極をつけた型のTFTについて放射線損傷の効果を調べた.その結果放射線に対する耐性は,真空管,トンネルダイオード,と同程度であって,通常の単結晶素子よりはかなり良好であった.その原因として考えられる要因としては,伝導は多数キャリヤに支配されること,全体の素子の大きさが極めて薄く小さいこと,および,膜が多結晶になっていることが考えられる;図4表1参10
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