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J-GLOBAL ID：201602012899237086   整理番号：71A0045606

遅延特性による真の二次電子の最大放出深さ決定法

Method for determining the maximum emission depth of true secondary electrons by means of retarding characteristics.

著者 (2件)： GOTO K ,  ISHIKIWA K
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 12  ページ： 4823-4825  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板上に蒸薦した試料の膜厚の関数として遅延ポテンシャル特性を測定することに基づいた二次電子の最大放出深さ入を決牢する方法を開発した。この方法を用いてDC-705,DC-704及びOctoil-Sのλを決定しそれぞれ30。40,70Aを得た。これらは,δ-η解析法による値と良く一致する;写図4表1参14

シソーラス用語： 二次電子放出
準シソーラス用語： 遅延ポテンシャル特性 ,  放出深さ

タイトルに関連する用語 (3件)： 遅延特性 ,  二次電子 ,  放出