抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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二けい化モリブデン結晶の製造の改良に関するもので,200メッシュの99.5%の二けい化モリブデンに4%過剰な半導体純度のSiを混合し,窒化ほう素のボートに入れ,1300°Cで3h95%アルゴンと5%水素のふん囲気を通気しながら加熱する。得られた焼結物を同じふん囲気中でゾーンメルトを行なう。1h/1inの速度で単結晶が,1h/10inで多結晶が得られる。マクロ的にわれのない単結晶を種にすると最もよい単結晶が得られる;写図1